发明名称 |
光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于设计数据的光掩模制造方法,该方法包括如下步骤:形成包含光掩模上的版图图案中的图形元素和由于光学临近效应影响该图形元素的图形元素的图形元素组,将标识数据添加到表示相同的图形元素组的数据组,评估光学临近效应对图形元素组的影响,生成表示校正的图形元素的校正数据,在校正的图形元素中补偿曝光时光学临近效应的影响,通过使具有相同标识数据的数据与具有该相同标识数据的校正数据相关联,生成图形数据,以及利用图形数据在光掩模上形成掩模图案。因此,可以减少校正版图的计算时间,从而减少光掩模的生产时间。 |
申请公布号 |
CN1841388A |
申请公布日期 |
2006.10.04 |
申请号 |
CN200510108434.4 |
申请日期 |
2005.10.08 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
二谷广贵;森下和正 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01);G03F1/08(2006.01) |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军;郑特强 |
主权项 |
1.一种以表示多个图形元素的设计数据为基础的光掩模制造方法,包括如下步骤:为每个第一元素形成一个图形元素组,该图形元素组由于光学临近效应影响每个第一元素;对图形元素组进行分组,以形成一组相似的图形元素组;评估光学临近效应对该图形元素组的影响,并生成另一图形元素,以补偿光学临近效应对该图形元素组的影响。 |
地址 |
日本神奈川县 |