发明名称 垂直磁盘装置
摘要 根据一个实施例,提供了一种垂直磁盘装置,包括:垂直磁记录介质(2),其包括表面粗糙度(Ra)小于等于0.35nm的非磁性基底(21)、软下层(22)、垂直取向(Δθ<SUB>50</SUB>)小于等于4°的非磁性中间层(23)、以及由具有垂直各向异性的磁性材料制成的垂直记录层(24);以及磁头(3),其包括写入头(4)和磁阻读取头(5),所述写入头(4)具有主磁极(41)、返回磁轭(43)以及励磁线圈(42),其特征在于,所述磁头(3)的浮动高度(f)和所述垂直磁记录介质(2)的平均表面粗糙度(Ra)满足以下关系:f>0.61Ra<SUP>2</SUP>-3.7Ra+5.9。
申请公布号 CN1841513A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200610065475.4 申请日期 2006.03.22
申请人 株式会社东芝 发明人 阿部刚志;青柳由果
分类号 G11B5/66(2006.01);G11B5/73(2006.01);G11B5/667(2006.01);G11B5/65(2006.01);G11B5/48(2006.01) 主分类号 G11B5/66(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;于静
主权项 1.一种垂直磁盘装置,包括:垂直磁记录介质(2),其包括表面粗糙度(Ra)小于等于0.35nm的非磁性基底(21)、软下层(22)、垂直取向(Δθ50)小于等于4°的非磁性中间层(23)、以及由具有垂直各向异性的磁性材料制成的垂直记录层(24);以及磁头(3),其包括写入头(4)和磁阻读取头(5),所述写入头(4)具有主磁极(41)、返回磁轭(43)以及励磁线圈(42),其特征在于,所述磁头(3)的浮动高度(f)和所述垂直磁记录介质(2)的平均表面粗糙度(Ra)满足以下关系:f>0.61Ra2-3.7Ra+5.9。
地址 日本东京都