| 发明名称 | 制造金属凸块的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造金属凸块的方法，该方法包括下列步骤：提供一表面包括一保护层的基底，且保护层暴露出至少一个接合垫金属表面，接着形成一光阻层覆盖于基底表面，然后进行一光刻处理过程将光阻层图案化以暴露出部分保护层和接合垫金属，再移除部分保护层，最后移除光阻层并进行一金属凸块化处理过程。本发明可使覆盖在接合垫金属表面的保护层的厚度小于覆盖在基底表面的保护层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1841667A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200510062420.3 | 申请日期 | 2005.03.28 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘美贞;赖昱廷;李光兴;董明宗 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 何秀明;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种制造金属凸块的方法，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底表面包括至少一个接合垫金属，以及一图案化的保护层，覆盖于基底表面并暴露出该接合垫金属的部分表面；形成一第一光阻层，覆盖在基底表面；利用一光罩进行一光刻处理过程图案化该第一光阻层，以暴露出部分保护层和接合垫金属；移除部分保护层，使得覆盖在接合垫金属表面的保护层的厚度小于覆盖在基底表面的保护层的厚度；移除第一光阻层；以及利用该光罩进行一金属凸块化处理过程。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||