具有多个布线层的半导体器件及其制造方法

摘要

具有多个布线层的半导体器件具备：第一绝缘膜；形成于该第一绝缘膜上的第一布线层；形成于上述第一布线层上的第二布线层；和设置在第一绝缘膜和所述第一布线层的上面，第二布线层中相邻布线之间和所述第二布线层中布线下侧与所述第一绝缘层和所述第一布线层之间的低相对介电常数的第二绝缘膜。所述半导体器件的制造方法具备：形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成多个布线沟；通过将金属膜埋入所述布线沟中来形成多个布线；去除所述布线间的所述第一层间绝缘膜来形成埋入沟；在所述埋入沟中埋入由低介电常数材料构成的第二层间绝缘膜。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜；与所述第一层间绝缘膜成同一表面的第一布线层，该第一布线层包含埋入该第一层间绝缘膜形成的多个第一布线；包含形成在所述第一层间绝缘膜以及所述第一布线层上方的多个第二布线的第二布线层；在所述第二布线层与所述第一布线层之间形成的第二层间绝缘膜；与所述第二布线层成同一表面形成在所述第二布线层中相邻的第二布线与第二布线之间的布线间区域中的第三层间绝缘膜，所述第三层间绝缘膜的相对介电常数比所述第二层间绝缘膜的相对介电常数低。