| 发明名称 | 具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：形成在基片预定部分中的沟槽以及在所述沟槽下的第一凹陷区。场氧化物层被埋到所述沟槽和第一凹陷区两者中。有源区由所述场氧化物层限定，并且具有第一有源区以及第二有源区。后者具有形成在比前者低的有源区部分中的第二凹陷区。阶梯栅图案形成在所述第一有源区和第二有源区之间的边界区上。所述栅图案具有阶梯结构，其一侧延伸到所述第一有源区的表面，且另一侧延伸到所述第二有源区的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1841749A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200510003584.9 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵俊熙 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：形成在基片预定部分中的沟槽以及在所述沟槽下的第一凹陷区；埋到所述沟槽和第一凹陷区中的场氧化物层；有源区，由所述场氧化物层限定并且具有第一有源区以及第二有源区，所述第二有源区具有形成在比第一有源区低的有源区部分中的第二凹陷区；以及在所述第一有源区和第二有源区之间的边界区上的阶梯栅图案，其中所述栅图案具有阶梯结构，其一侧延伸到所述第一有源区的表面，且另一侧延伸到所述第二有源区的表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||