| 发明名称 | 超导膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超导膜及其制造方法，该超导膜包括基底以及在基底上形成的超导层，其中，在该基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽，并在位于该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶体缺陷。本发明的超导膜以低成本获得且具有很高的Jc，可应用于电缆、磁体、防护体、限流器、微波设备以及这些制品的半成品中。 | ||
| 申请公布号 | CN1842878A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200480024812.4 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构;财团法人电力中央研究所 | 发明人 | 松本要;向田昌志;吉田隆;一濑中;堀井滋 |
| 分类号 | H01B12/06(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L39/24(2006.01);C01G1/00(2006.01);C01G3/00(2006.01);C23C14/08(2006.01) | 主分类号 | H01B12/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种超导膜，其具有基底以及在该基底上形成的超导层，其中，基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽，该基底表面上具有超导层，并在该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶体缺陷。 | ||
| 地址 | 日本埼玉 | ||