| 发明名称 | 自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路 | ||
| 摘要 | 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。 | ||
| 申请公布号 | CN1841768A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200610071020.3 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 齐藤好昭;杉山英行;井口智明 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种自旋注入场效应晶体管，包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；以及控制自旋注入电流的取向以确定上述第2铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||