| 发明名称 | 具有纳米簇的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种制作具有纳米簇的器件的工艺。此工艺包括形成纳米簇(例如硅纳米晶体)以及在纳米簇上形成氧化势垒层以便阻止氧化剂在后续形成器件介质的过程中氧化纳米簇。在形成介质之后，至少部分氧化势垒层被清除。在一个实施例中，器件是存储器，其中，纳米簇被用作存储器的电荷储存晶体管的电荷储存位置。在此实施例中，氧化势垒层保护了纳米簇在形成存储器高压晶体管的栅介质时免受氧化剂的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1842909A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200480024779.5 | 申请日期 | 2004.07.15 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 罗伯特·F·斯特梅尔;拉马钱德兰·穆拉利德哈;韦恩·M·保尔森;拉杰什·A·拉奥;布鲁斯·E·怀特;爱德华·J·普里兹 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作器件的方法，它包含：提供衬底；在衬底上形成纳米簇；在纳米簇上淀积氧化势垒层；图形化，以形成第一区和第二区，第一区包括衬底上的氧化势垒层和纳米簇，而第二区清除了氧化势垒层和纳米簇；在图形化之后，在第一区上形成第二介质；以及在形成第二介质之后，从第一区清除至少部分氧化势垒层，其中，清除此至少部分，至少减小了氧化势垒层的厚度。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||