| 发明名称 | 分裂栅极存储单元及制造分裂栅极存储单元阵列的方法 | ||
| 摘要 | 披露了非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。更具体地说，提供了这样一种分裂栅极储存器件，其具有的架构提供了增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1841785A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200610067866.X | 申请日期 | 2006.03.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 田喜锡;尹胜范;韩晶昱;金龙泰;姜盛泽;徐辅永;权赫基 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种分裂栅极存储单元，包括：形成于半导体衬底中的第一和第二扩散区；在所述第一和第二扩散区之间形成于所述半导体衬底上的浮置栅电极，其中所述浮置栅电极的第一侧与所述第一扩散区的一部分重叠；在所述浮置栅电极的第二侧和所述第二扩散区之间形成于所述半导体衬底上的控制栅电极；设置于所述控制栅电极和所述浮置栅电极的第二侧之间的隧穿介质层；形成于所述半导体衬底中的所述第一扩散区上并与所述浮置栅电极的所述第一侧和上表面相邻的耦合栅电极；设置于所述耦合栅电极和所述浮置栅电极的所述第一侧和上表面之间的耦合介质层；以及形成于所述控制栅极和所述耦合栅极之间的绝缘间隔体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||