图案化制程与接触窗

摘要

一种图案化制程，首先提供一基板，此基板上已形成有材料层与光阻材料层。接着，提供光罩，此光罩具有不透光之光罩图案与位于此不透光之光罩图案之周围之局部曝光图案。再来，透过上述光罩对光阻材料层进行曝光。继之，对光阻材料层进行显影，以形成图案化光阻层，其中图案化光阻层之侧壁具有小于90度的倾斜度。之后，利用图案化光阻层为蚀刻罩幕，对材料层进行蚀刻以形成图案化材料层。继之，移除图案化光阻层。藉由上述之局部曝光图案，可改变光罩图案边缘的曝光量，进而能够蚀刻出具有小于90度的倾斜度之侧壁的图案，以改善后续沈积之薄膜的膜厚均匀性。