背面接合型太阳电池及其制造方法

摘要

本发明系不使p^+型扩散层和n^+型扩散层相接触而细微配置者。本发明系于半导体基板1的背面1a使p^+型扩散层2和n^+型扩散层3相互接近而同时形成，将该等p^+型扩散层2和n^+型扩散层3的外侧端部彼此相接触的半导体基板1的背面1a侧去除，使p^+型扩散层2和n^+型扩散层3分离，藉此p^+型扩散层2和n^+型扩散层3相互接近而被分离配置。