发明名称 | 制作插塞之方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种制作插塞之方法。首先提供一基底,且基底上包含有至少一介电层,再于介电层上形成一图案化硬遮罩。之后利用图案化硬遮罩当作遮罩蚀刻介电层,以形成至少一插塞洞,再于基底上形成一阻障层与一导电层,且导电层填满插塞洞。随后,依序进行一第一、第二以及第三化学机械研磨制程,以分别去除部份之导电层、部份之阻障层以及图案化硬遮罩。最后,进行一第四化学机械研磨制程,以去除部份之介电层。 | ||
申请公布号 | TW200634983 | 申请公布日期 | 2006.10.01 |
申请号 | TW095109047 | 申请日期 | 2006.03.16 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许嘉麟;余志展;黄建中 |
分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |