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发明名称
可使用次级记忆体的记忆体控制器及其操作方法
摘要
一种可使用次级记忆体的记忆体控制器及其操作方法,该记忆体控制器运用以位址作降级切割之次级记忆体;且该次级记忆体系事先经适测试筛选,符合以记忆体之位址信号做为好坏区之区分的次级记忆体。该记忆体控制器装置可应用于各类型应用系统中,做为子系统存取记忆体之介面的控制器,此种控制器并可与子系统整合在单一晶片中。而本发明之可使用次级记忆体的记忆体控制器装置乃是藉由一或多个纪录装置,来设定记忆体控制器装置的记忆体初始化、位址输出状态与位址对应关系等,以适应次级记忆体之位址线降级状态。
申请公布号
TW200634831
申请公布日期
2006.10.01
申请号
TW094110012
申请日期
2005.03.30
申请人
欧阳昌廉
发明人
欧阳昌廉
分类号
G11C5/00
主分类号
G11C5/00
代理机构
代理人
谢佩玲
主权项
地址
台北市万华区青年路30巷10号11楼
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