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发明名称
使用含硷层制造之光伏装置及方法
摘要
本件发明说明一种使用含硷混合相半导体来源层研发光伏装置的方法及依该方法制造之光伏装置,可强化电池效能并减少分子结构缺陷。
申请公布号
TW200635090
申请公布日期
2006.10.01
申请号
TW094139516
申请日期
2005.11.10
申请人
德斯塔尔科技公司
发明人
约翰R. 帝托
分类号
H01L51/40
主分类号
H01L51/40
代理机构
代理人
陈相儒
主权项
地址
美国
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