具开口结构

摘要

本发明系关于一种制造具有低纵横比开口(3)的绝缘结构(2c)的方法。为此目的，以在自该预加工半导体基板表面垂直方向平均增加或减少的浓度将掺杂剂引入该绝缘结构(2c)，该开口(3)系于乾蚀刻步骤形成及该开口(3)的纵横比系使用后续湿化学蚀刻步骤由增加该开口(3)的基础表面积而减少。