| 主权项 |
1.一种产生用于一确认布局工具之一设计规则检查(design rule check, DRC)规则之命令档之方法,其中该命令档系用来确认一积体电路之设计,该方法包含下列步骤:(a)由一组制程中选择一制程;(b)设定一组参数;以及(c)根据步骤(a)选择之制程与步骤(b)设定之该组参数,由复数个模组中萃取出程式码以产生一相对应之设计规则检查规则之命令档。2.如申请专利范围第1项所述之方法,另包含下列步骤:(d)产生该复数个模组,其中该复数个模组包含:一标头模组,包含确认工具之不同制程之设定之程式码;一变数模组,包含用来设定不同制程之制造参数之程式码;一分层模组,包含用来设定不同制程之分层定义之程式码;以及一运算模组,包含不同制程之运算定义之程式码。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该组参数包含金属层的层数。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该组参数包含多晶矽(poly-silicon)层的层数。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该组参数包含关于封包之参数。6.一种产生用于一确认布局工具之一布局与图式(layout versus schematic, LVS)规则以及布局寄生萃取(layout parasitic extraction, LPE)规则之命令档之方法,其中该命令档系用来确认一积体电路之布局与寄生特性,该方法包含下列步骤:(a)由一组制程中选择一制程;(b)设定一组参数;以及(c)根据步骤(a)选择之制程与步骤(b)设定之该组参数,由复数个模组中萃取出程式码以产生一相对应之布局与图式规则/布局寄生萃取规则之命令档。7.如申请专利范围第6项所述之方法,另包含下列步骤:(d)产生该复数个模组,其中该复数个模组包含:一标头模组,包含确认工具之不同制程之设定之程式码;一分层模组,包含用来设定不同制程之分层定义之程式码;一运算模组,包含不同制程之运算定义之程式码;以及一装置模组,包含用来宣告不同制程之装置之程式码。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该组参数包含金属层的层数。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该组参数包含多晶矽层的层数。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该组参数包含关于封包之参数。11.一种产生用于一确认布局工具之一设计规则检查规则或布局与图式规则以及布局寄生萃取规则之命令档之方法,其中该命令档系用来确认一积体电路之设计或布局与寄生特性,该方法包含下列步骤:(a)选择产生一设计规则检查规则之命令档或产生一布局与图式规则以及布局寄生萃取规则之命令档;(b)由一组制程中选择一制程;(c)设定一组参数;以及(d)根据步骤(a)之选择、步骤(b)选择之制程与步骤(c)设定之该组参数,由复数个模组中萃取出程式码以产生一相对应之设计规则检查规则或布局与图式规则以及布局寄生萃取规则之命令档。12.如申请专利范围第11项所述之方法,另包含下列步骤:(e)产生该复数个模组,其中该复数个模组包含:一标头模组,包含确认工具之不同制程之设定之程式码;一变数模组,包含用来设定不同制程之制造参数之程式码;一分层模组,包含用来设定不同制程之分层定义之程式码;一运算模组,包含不同制程之运算定义之程式码;以及一装置模组,包含用来宣告不同制程之装置之程式码。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该组参数包含金属层的层数。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该组参数包含多晶矽层的层数。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该组参数包含关于封包之参数。图式简单说明:图一为本发明之产生一DRC规则命令档之流程图。图二为本发明一之产生一LVS/LPE规则命令档之流程图。图三为本发明一之产生一DRC规则或/与LVS/LPE规则命令档之流程图。 |
