| 主权项 |
1.一种电化学电镀方法,适用于形成一铜层,包括下列步骤:提供一基底,具有一沟槽;于上述沟槽形成一铜晶种层;及执行电化学电镀步骤,藉由一电镀电极提供具有正脉冲及负脉冲之周期波至上述铜晶种层,上述周期波之频率系小于40Hz,而上述负脉冲之震幅系小于7伏特之范围内,以形成上述铜层。2.如申请专利范围第1项所述之电化学电镀方法,其中上述沟槽系以非等向蚀刻制程形成。3.如申请专利范围第1项所述之电化学电镀方法,其中上述沟槽深度范围系位于2000埃至10000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之电化学电镀方法,其中上述铜晶种层厚度范围系位于30埃至2000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之电化学电镀方法,其中上述周期波之频率范围系位于0.5Hz至40Hz之间。6.如申请专利范围第1项所述之电化学电镀方法,其中上述负脉冲之震幅系位于1伏特至7伏特之间。7.一种电化学电镀方法,适用于形成一铜层,包括下列步骤:提供一基底,具有一沟槽;于上述沟槽形成一铜晶种层;及执行电化学电镀步骤,藉由一电镀电极提供具有正脉冲及负脉冲之周期波至上述铜晶种层,上述周期波之频率系位于0.5Hz-40Hz之范围内,而上述负脉冲之震幅系位于1伏特至7伏特之范围内,以形成上述铜层。8.如申请专利范围第7项所述之电化学电镀方法,其中上述沟槽系以非等向蚀刻制程形成。9.如申请专利范围第7项所述之电化学电镀方法,其中上述沟槽深度范围系位于2000埃至10000埃之间。10.如申请专利范围第7项所述之电化学电镀方法,其中上述铜晶种层厚度范围系位于30埃至2000埃之间。图式简单说明:第1图系显示采用交错执行电镀及电解之电化学电镀的示意图。第2图系显示传统技术于执行电镀及电解之电化学电镀时,电极供应电压至铜晶种层之电压波形。第3图系显示根据本发明实施例所述之半导体电镀制程之操作流程图。第4A图-第4C图系显示对应于第3图之半导体剖面图。第5图系显示根据本发明实施例采用交错执行电镀及电解之电化学电镀的示意图。第6图系显示根据本发明实施例于执行电镀及电解之电化学电镀时,电极供应电压至铜晶种层之电压波形。第7图系显示负脉冲之电压値对应于电极所供应电压频率之曲线图。 |
