发明名称 使用脉冲式原子层沉积法将薄膜沉积于基板上的方法
摘要 本发明提供一种使用脉冲式馈送制程将薄膜 积于基板上的方法。该方法包含:实施一第二反应气体连续馈送制程,用以将一第二反应气体连续馈送至一其中安置着该基板的反应室之中;以及于该第二反应气体连续馈送制程期间实施一制程循环数次,该制程循环包含一第一反应气体馈送制程以将一第一反应气体馈送至该反应室之中,以及一第一反应气体清泄制程以清泄未附着在该基板上的第一反应气体。该第二反应气体连续馈送制程包含一第二反应气体脉冲式制程,用于以高于该第一反应气体清泄制程期间之基础流动速率的脉冲流动速率来馈送该第二反应气体。
申请公布号 TW200634962 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW095108751 申请日期 2006.03.15
申请人 IPS股份有限公司 发明人 朴永薰;李相奎;李起薰;徐泰旭
分类号 H01L21/60;C23C16/44 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 韩国