发明名称 MOS影像感应器
摘要 一种半导体影像感测器,包含:一半导体基材具有多数像元呈矩阵状列设,该半导体基材含有一第一区包含一光电二极体的电荷积存区和一浮动扩散区,及一第二区包含多数电晶体各具有一闸极电极和源极/汲极区;一第一氧化矽膜设在该半导体基材上方,而覆盖第一区中之电荷积存区的表面,并形成第二区中之至少某些电晶体的闸极电极侧壁上之侧壁间隔物;及一氮化矽膜设在第一氧化矽膜的上方,而覆盖第二区中的源极/汲极区,并在第一区中之电荷积存区上方的至少一区域处设有一开孔。所形成的半导体影像感测器会具有高敏感度,且能提供具有低杂讯的输出。
申请公布号 TW200635062 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW094129301 申请日期 2005.08.26
申请人 富士通股份有限公司 发明人 大川成美;竹田重利;石原行宏;林一树;直理修久;千千岩雅弘
分类号 H01L31/113;H01L27/14 主分类号 H01L31/113
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本