单次可程式化唯读记忆体及其制造方法

摘要

一种单次可程式化唯读记忆体，至少包括P型半导体基底、N型掺杂区、P型第一掺杂层、P型第二掺杂层、导电层、N型第一掺杂层与反熔丝层。其中，N型掺杂区设置于P型半导体基底中。P型第一掺杂层设置于P型半导体基底中，且位于N型掺杂区上。P型第二掺杂层为高掺杂浓度，其设置于N型掺杂区与该P型第一掺杂层之间，且P型第二掺杂层成条状，系作为位元线。导电层设置于P型半导体基底上，此导电层成条状且与P型第一掺杂层垂直交错。N型第一掺杂层设置于P型半导体基底中，且位于导电层与P型第一掺杂层之间，作为选择性之二极体元件。反熔丝层设置于导电层与N型第一掺杂层之间，利用电压崩溃与未崩溃之反熔丝层作为判别0与1的状态。