于知互补金属氧化半导体制程中制造电荷耦合元件

摘要

一种于知互补金属氧化物半导体(CMOS)制程中形成电荷耦合元件(CCD)之技术。在土生土长的矽掺杂基板上形成一些单层复晶矽闸极，其间具有间隙。光罩被使用来选择性地掺杂该等闸极，同时防止在该等间隙中掺杂矽。同样地，光罩可被使用来选择性地对该等闸极进行金属矽化制程，同时防止在该等间隙中形成矽化物。知源极–汲极制程系对该电荷耦荷元件产生输入／输出扩散。