| 主权项 |
1.一种图型微细化用之被覆形成剂,其为被覆于具 有光阻图型之基板,利用该被覆之热收缩作用缩小 光阻图型间隔后,实质上完全去除该被覆后为形成 微细图型所使用之被覆形成剂,其特征为含有(a)水 溶性聚合物与(b)至少同一环中具有2个以上氮原子 之杂环式化合物之单体。 2.如申请专利范围第1项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中该(a)成份为至少1种选自伸烷基二醇系 聚合物、纤维素系衍生物、乙烯系聚合物、丙烯 酸系聚合物、系聚合物、环氧系聚合物、蜜胺 系聚合物、及醯胺系聚合物中者。 3.如申请专利范围第2项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中该(a)成份为至少1种选自伸烷基二醇系 聚合物、纤维素系衍生物、乙烯系聚合物、及丙 烯酸系聚合物者。 4.如申请专利范围第1项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中该(b)成份为至少1种选自唑系化合物 、咪唑系化合物、咪唑系化合物、咪唑烷( imidazolidine)系化合物、苯并咪唑系化合物、二 系化合物、氢化嘧啶系化合物、苯并二系化合 物、二苯并二系化合物、三唑系化合物、苯并 三唑系化合物、及三系化合物中之单体。 5.如申请专利范围第4项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中该(b)成份为咪唑系化合物之单体。 6.如申请专利范围第1项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中该图型微细化用之被覆形成剂为固形份 浓度3-50质量%之水溶液。 7.如申请专利范围第1项之图型微细化用之被覆形 成剂,其中针对100质量%之(a)成份时,含有1-15质量% 之(b)成份。 8.一种微细图型之形成方法,其特征系含有被覆如 申请专利范围第1项之图型微细化用之被覆形成剂 于具有光阻图型之基板上,藉由热处理使该被覆形 成剂进行热收缩后,利用其热收缩作用缩小光阻图 型间之间隔后,再使该图型微细化用之被覆形成剂 进行实质上完全去除之步骤。 9.如申请专利范围第8项之微细图型之形成方法,其 中,使该热处理以于基板上之光阻图型不产生热流 动之温度下进行加热者。 |
