| 主权项 |
1.一种使液态或固态卤化烃类本身或于液体或固 体中之污染物形式者行还原性脱卤反应的方法,此 系在给予氢之化合物存在下经由与还原金属之反 应而成,其特征在于卤化烃类或被该卤化烃类污染 之液体或固体被传递成细分之粉状固态配方且该 含有卤化烃类之细分粉状固态配方在一还原性金 属及给予氢之化合物存在下加热至80至400℃温度 范围中。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于含卤化 烃类之细分粉状固态配方经由乾燥且随后机械崩 解或藉分散化学反应(DCR)而制备。 3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于含有卤 化烃类之细分粉状固态配方与作为还原金属之锂 、钾、钙、钠、镁、铝、锌或铁或其合金一同加 热。 4.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于使用细 分形式,在一细分惰性载剂上之还原金属,在彼之 存在下,含卤化烃类之细分粉状固态配方被加热。 5.如申请专利范围第4项之方法,其特征在于使包括 细分还原金属锂、钾或钠或其合金在细分惰性载 体上的配方机械性或化学性地变为惰性。 6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于脂族一 级、二级或三级胺类或二胺类或具有另外之官能 基的胺类或其混合物另外且任意地被添加至包括 固态配方之细分混合物中,该固态配方含有卤化烃 类和细分还原性金属。 7.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于给予氢 之化合物被添加至含有固态配方及细分还原金属 本身或与胺类所成者之卤化烃类混合物中。 8.如申请专利范围第6或7项之方法,其特征在于胺 类和给予氢之化合物以细分粉状固态配方形式添 加。 9.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于含胺类 和给予氢之化合物的细分粉状固态配方藉一分散 化学反应(DCR)来制备。 10.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于胺类 和给予氢之化合物及相关之细分固态配方在脱卤 反应期间一次地,部份地或连续地分别添加至包括 细分粉状配方之反应混合物中,该配方含有卤化烃 类和细分还原性金属。 11.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于含有 卤化烃类之细分粉状固态配方在脱卤反应实施前 被加热地或经由吸收剂之添加而化学性地完全乾 燥。 12.如申请专利范围第11项之方法,其特征在于氧化 钙或醇酸铝用来作为吸收剂。 13.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于脱卤 反应是在一可加热的反应器管中,在一加强混合机 中,在一流化床反应器中,在一固态床反应器中或 在一固态流动反应器中实施。 14.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于包 括细分固态配方,细分金属及,若需要,胺类和给予 氢之化合物之反应混合物在一步骤中藉分散化学 反应(DCR)应用至所有起始成份之混合物而制备。 15.如申请专利范围第1或2项之方法,其应用至卤化 烃类本身之脱卤反应或废油中,水力油,绝缘油,缩 合油(condenser oil),滤尘,灰,土壤,工业副产物及工业 废料中之卤化烃类的脱卤反应中。 |
