Vorrichtung und Verfahren zur Strukturbelichtung

摘要

Ein Verfahren zur Belichtung ohne Maske und eine Vorrichtung zur Belichtung ohne Maske kann wirksam mit stark gerichtetem Licht zur Beleuchtung bzw. Belichtung durchgeführt werden, während die Belichtungseffizienz von Löt-Resist verbessert werden kann. Im Blauvioletten strahlende Halbleiterlaser 12A emittierten Laserstrahlen 1a mit einer Wellenlänge von 45 nm und ultraviolett strahlende Halbleiterlaser 12B emittierten Laserstrahlen 1b mit einer Wellenlänge von 375 nm, wobei diese vorgesehen sind, um ein Substrat 8 mit den Laserstrahlen 1a und 1b zu bestrahlen, deren optische Achsen zueinander koaxial gemacht sind. In diesem Fall kann ein und derselbe Ort bzw. Platz auf dem Substrat 8 mit den Laserstrahlen 1a und 1b mehrere Male bestrahlt werden. Folglich wird die Abweichung der Intensität der Laserstrahlen 1a und 1b gemittelt.