发明名称 压电薄膜及其制造方法、压电元件以及喷墨记录头
摘要 本发明披露了具有较少不一致部分并保持令人满意压电特性的压电薄膜、制造所述薄膜的方法、使用该压电薄膜的压电元件以及使用该压电元件的喷墨系统记录头。在通过溶胶凝胶工艺形成在衬底上并由通式Pb<SUB> (1-x)</SUB> La<SUB>x</SUB>(Zr<SUB>y</SUB>Ti<SUB>1-y</SUB>)O<SUB>3</SUB> (其中0≤x<1,0.05≤y<1)表示的一种钙钛矿晶体的压电薄膜中,薄膜的膜厚度为大于或等于1000nm并小于或等于4000nm,并且在压电薄膜任意部分中y的最大值和最小值之间的差值为小于或等于0.05。
申请公布号 CN1839488A 申请公布日期 2006.09.27
申请号 CN200580000793.6 申请日期 2005.02.23
申请人 佳能株式会社;富士化学株式会社 发明人 久保田纯;小林本和;襟立信二;内田文生;前田宪二;清水千惠美
分类号 H01L41/09(2006.01);H01L41/187(2006.01);H01L41/24(2006.01);B41J2/045(2006.01);B41J2/055(2006.01);B41J2/16(2006.01);C01G25/00(2006.01);C30B29/32(2006.01);H02N2/00(2006.01) 主分类号 H01L41/09(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 张浩
主权项 1.一种由通式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(其中0≤x<1,0.05≤y<1)表示的钙钛矿晶体的压电薄膜,其中压电薄膜的膜厚度为大于或等于1000nm并小于或等于4000nm,所述压电薄膜的表面包含具有大于或等于200nm的等效圆直径的晶粒、以及具有小于或等于40nm的等效圆直径的晶粒,并且相对于在压电薄膜的表面中观察到的晶粒的总数量,在压电薄膜的表面中观察到的具有小于或等于40nm的等效圆直径的晶粒的数量为大于或等于5%。
地址 日本东京