发明名称 光学记录介质及其制造方法、以及在光学记录介质上记录数据的方法和重放记录在光学记录介质上的数据的方法
摘要 本发明公开了一种光学记录介质,包括:支撑基板(11)和透光层(12),以及,当从透光层侧观看,以下述次序在透光层与支撑基板(11)之间进一步设置的电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。透光层(22)包含由下式表示的材料作为主要成分(Sb<SUB>a</SUB>Te<SUB>1-a</SUB>)<SUB>1-b</SUB>MA<SUB>b</SUB>(其中,MA是除锑(Sb)和碲(Te)之外的元素,0<a<1且0≤b<1=,此外,该材料区别于由下式表示的金属互化物{(GeTe)<SUB>c</SUB>(Sb<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>)<SUB>1-c</SUB>}<SUB>d</SUB>MB<SUB>1-d</SUB>(其中,MB是除锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)之外的元素,c为1/3、1/2或2/3,且0<d≤1)。
申请公布号 CN1839433A 申请公布日期 2006.09.27
申请号 CN200480024159.1 申请日期 2004.08.12
申请人 TDK株式会社 发明人 菊川隆;福泽成敏;小林龙弘
分类号 G11B7/24(2006.01);G11B7/26(2006.01);G11B7/00(2006.01);B41M5/26(2006.01) 主分类号 G11B7/24(2006.01)
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人 宋丹氢;张天舒
主权项 1.一种光学记录介质,包括:支撑基板,厚度在0.6mm至2.0mm的范围,和透光层,厚度在10μm至200μm的范围,以及在所述透光层与所述支撑基板之间,当从所述透光层侧观看,以下述次序布置的第一电介质层、贵金属氧化物层、第二电介质层、光吸收层和第三电介质层,其中,所述光吸收层包含由下式表示的材料作为主要成分(SbaTe1-a)1-bMAb 其中,MA是除锑(Sb)和碲(Te)之外的元素,0<a<1且0≤b<1,此外,该材料区别于由下式表示的金属互化物{(GeTe)c(Sb2Te3)1-c}dMB1-d 其中,MB是除锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)之外的元素,c为1/3、1/2或2/3,且0<d≤1。
地址 日本东京都