| 发明名称 | 具有应变硅锗层外延的场效应晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有应变硅锗层外延的场效应晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底上外延成长一硅缓冲层及一应变Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>通道层，其中该应变Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>通道层处于双轴压缩应变情况下；在该应变Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>通道层上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一栅极电极；以及在该栅极电极两侧形成一源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1277296C | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN03107972.5 | 申请日期 | 2003.03.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;林俊杰;杨富量;胡正明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种具有应变硅锗层外延的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底上外延成长一硅缓冲层及一应变Si1-xGex通道层，其中该应变Si1-xGex通道层处于双轴压缩应变情况下；在该应变Si1-xGex通道层上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一栅极电极；以及在该栅极电极两侧形成一源极和漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||