| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1277312C | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN99124856.2 | 申请日期 | 1997.10.15 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;大谷久;小山润;福永健司 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
| 主权项 | 1.一种发光显示器，包括：一个像素矩阵电路，在整个衬底上形成，且有一个薄膜晶体管；和一个逻辑电路，在整个所述衬底上形成，供驱动所述发光显示器，具有一个P沟道薄膜晶体管和一个N沟道薄膜晶体管；各所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：一晶硅膜有源层，在整个所述衬底上形成，其中所述晶硅膜具有多个包括氧化硅的晶界；一栅绝缘膜，在所述有源层表面上形成；和一个栅极，在所述栅绝缘膜上形成；其特征在于，所述有源层含浓度不大于1×1018原子/立方厘米，起晶化促进作用的金属元素；且所述N沟道薄膜晶体管和所述P沟道薄膜晶体管表示电气特性的S值的标准偏差分别在10mv/dec内和15mv/dec内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||