用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置

摘要

本发明属于低温等离子体化学技术领域。本发明由不包含基片的温度测控的等离子体辅助沉积碳化硅薄膜的装置加上尘埃颗粒的监控部分组成，其特征是：由激光器和光具组来照明尘埃颗粒，由记录设备和计算机来记录和分析尘埃颗粒的状况，沉积碳化硅薄膜的反应室设计成透明的或开一个以上观察窗口，用微凹的驱动极，直流负偏压电源，从反应室外向反应室内投入尘埃颗粒的部件来控制尘埃颗粒。本发明的效果和益处是能克服传统方法中由于高温所致的种种缺点，能够在常温下沉积碳化硅薄膜，可广泛用于需要沉积碳化硅薄膜的各种领域，改变工作介质，还可沉积其他类型的薄膜。

主权项

1.一种用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置，由电源、电极、用于沉积碳化硅薄膜的工作介质及监控部分、控制放电的匹配网络、尘埃颗粒的监视部分和尘埃颗粒的控制部分组成，其特征是：尘埃颗粒的监视部分由激光器、光具组、记录设备和计算机组成，沉积碳化硅薄膜的反应室透明或开观察窗口；尘埃颗粒的控制部分由微凹的驱动极和直流负偏压电源组成，其中直流负偏压电源为0-500V。