发明名称 凸起形成装置和方法
摘要 一种凸起形成装置和方法,具有预热装置(160),对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201),实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此,在凸起形成前,上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态,在现象上,与以往相比,能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且,本发明也能够在凸起形成后,通过控制装置(317)的加热控制,由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
申请公布号 CN1838380A 申请公布日期 2006.09.27
申请号 CN200510091651.7 申请日期 2001.06.29
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 成田正力;吉田幸一;池谷雅彦;前贵晴;金山真司;今西诚;东和司;福本健治;和田浩
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1.一种凸起强度改善装置,具有:对在半导体元件(60、70)的电极(51)上形成凸起(52)的凸起形成完成元件(61、72)、比较凸起形成时的上述电极和上述凸起之间的接合强度,以可达到该接合强度改善的接合强度改善条件、进行加热的加热装置(3162),和对上述加热装置进行根据上述接合强度改善条件的加热控制的控制装置(317)。
地址 日本大阪府