| 发明名称 | 利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，于一等离子体化学气相沉积腔体中，以等离子体辅助化学反应，在基板上形成薄膜。然后，在取出基板后将清洁气体导入腔体中，以去除腔体内的附着物。随后，在下一批基板置入腔体前施行一预沉积制作工艺，以隔绝清洁过程的污染物。然后，施行一放电等离子体制作工艺，以降低预沉积薄膜表面累积电荷的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN1276993C | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN02141383.5 | 申请日期 | 2002.07.09 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 林辉巨 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/365(2006.01) | 主分类号 | C23C16/513(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，适于在放置于一腔体内的一基板上沉积一薄膜，其特征在于：其步骤包括：a.施行一等离子体化学气相沉积，以于该基板上形成该薄膜；b.将该基板从该腔体内取出；c.对于该腔体进行一清洁制作工艺；d.对于该腔体进行一预沉积制作工艺；e.对于该腔体施行一放电等离子体制作工艺；f，放入下一批基板；g.重复步骤a到f。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区苗栗县竹南镇仁爱路121巷5号 | ||