发明名称 |
基板检查方法、半导体器件的制造方法以及基板检查装置 |
摘要 |
一种基板检查方法,其中包括以下步骤:生成带电粒子射束;使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象;会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束,或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束,并且,在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中,对应上述检查对象的结构而产生相位差;使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像;检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束,输出包含上述相位差的的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号;使用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差信息,检测上述检查对象的缺陷。 |
申请公布号 |
CN1838396A |
申请公布日期 |
2006.09.27 |
申请号 |
CN200610065365.8 |
申请日期 |
2006.03.23 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
山崎裕一郎 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);G01N23/225(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
李峥;杨晓光 |
主权项 |
1.一种基板检查方法,包括以下步骤:生成带电粒子射束;使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象;会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束,或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束,并且,在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中,对应上述检查对象的结构而产生相位差;使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像;检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束,输出包含上述相位差的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号;以及利用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差的信息,检测上述检查对象的缺陷。 |
地址 |
日本东京都 |