| 发明名称 | 瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；从沟槽的底部区域除去所述衬底氧化层，沟槽下部区域的横截面积大于沟槽上部区域的横截面积。 | ||
| 申请公布号 | CN1838401A | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN200510137330.6 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 | 发明人 | K·塞特尔迈尔;R·拉马钱德兰;M·－S·金;O·－J·关 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 胡强 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽具有侧壁和底，所述沟槽具有邻近所述衬底顶面的上部区域和邻近所述沟槽底的下部区域；在所述沟槽的所述底部区域形成所述衬底的氧化层；和从所述沟槽的所述底部区域除去所述衬底的所述氧化层，所述沟槽的所述下部区域的横截面积大于所述沟槽的所述上部区域的横截面积。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||