发明名称 一种提高半导体发光二极管外量子效率的方法
摘要 本发明涉及一种提高半导体发光二极管(LED)外量子效率的方法,先在LED出光面外镀上一组薄膜,可以是一层或多层。该组薄膜在LED发射光波长下折射率介于LED半导体发光介质与封装用树脂或相当于封装用空气折射率之间,三组介质折射率大小顺序为:η<SUB>半</SUB>>η<SUB>x</SUB>>η<SUB>封</SUB>,而后再灌注高分子树脂进行封装的方法。每一组中每一层薄膜在LED发射光波长下的折射率(η<SUB>x</SUB>)的平方值为其前一层薄膜折射率(η<SUB>x+1</SUB>)与后一层薄膜折射率(η<SUB>x-1</SUB>)乘积(η<SUB>x</SUB><SUP>2</SUP>=η<SUB>x-1</SUB>·η<SUB>x+1</SUB>)或与其相差10±2%的值,因此多层薄膜之间折射率大小顺序为:η<SUB>x+1</SUB>>η<SUB>x</SUB>>η<SUB>x-1</SUB>,式中X=1、2、3、4、5、7或9。由于所镀薄膜具有高透光性、良好色散性,因此提高了LED芯片的外量子效率、发光效率和光通量。
申请公布号 CN1838439A 申请公布日期 2006.09.27
申请号 CN200610003977.4 申请日期 2006.01.25
申请人 福建师范大学 发明人 章文贡;章仪
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 福州元创专利代理有限公司 代理人 蔡学俊
主权项 1.本发明涉及一种提高LED外量子效率的方法,其特征是先在LED出光面外镀上一组薄膜,该组薄膜可以是一层或多层,且在LED发射光波长下折射率ηx 介于LED半导体发光介质与封装用树脂折射率η封或相当于封装用空气折射率η空之间,三组介质折射率大小顺序为:η半>ηx>η封。
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