| 发明名称 | 在基体上沉积材料的方法以及在基体上形成层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括采用超临界流体将前体引入反应室的方法。在一些方面，采用超临界流体在ALD中将至少一种前体引入反应室，在具体方面，所述超临界流体用来在ALD中将多种前体引入到反应室中。本发明可用来形成任何各种材料，包括含金属的材料，比如，例如金属氧化物、金属氮化物、和由金属构成的材料。通过采用可用以将含金属的前体引入反应室的超临界流体，可以形成金属氧化物，其中所述前体随后在基体表面上形成含金属的层。随后，该含金属的层可以和氧反应，以将该层中的至少一些该金属转变成金属氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1839217A | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN200480024162.3 | 申请日期 | 2004.08.09 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | D·萨里贾尼斯;G·J·德尔德里安;C·巴斯切里 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01);C30B25/14(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C23C16/455(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;赵苏林 |
| 主权项 | 1、在基体上形层的方法，包括：提供包含分散在其中的前体的超临界流体；提供其中具有基体的反应室，所述基体具有表面；和使其中分散有前体的超临界流体流入所述反应室；所述前体和所述基体的所述表面反应，在所述基体的至少一部分所述表面上形成单层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||