| 发明名称 | MIS半导体器件和互补MIS半导体器件 | ||
| 摘要 | 用半导体衬底以及提供在半导体衬底上的p型MIS晶体管和n型MIS晶体管，制作了一种MIS型半导体器件，此p型MIS晶体管包括由锗以及选自钽、钒、铌的一种元素所构成的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1838430A | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN200610059212.2 | 申请日期 | 2006.03.15 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 土屋义规;小山正人;西野弘刚 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L29/49(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种MIS型半导体器件，它包含：半导体衬底；以及p型MIS晶体管，此p型MIS晶体管被提供在半导体衬底上并具有包含锗以及选自钽、钒、铌的一种元素的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||