| 发明名称 | 纵型有机FET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抑制由有机半导体构成的活性层的分子取向、提高载流子迁移率的纵型有机FET。本发明涉及基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层，具有源极层、活性层和漏极层依次叠层的结构的纵型有机FET，其特征在于：(1)上述源极层和漏极层实质上与基板表面平行地配置；(2)上述源极层和漏极层由导电性部件构成；(3)上述活性层实质上由以4价或6价的元素作为中心原子、并且分子面的上下方向分别配位有配位基X<SUB>1</SUB>和X<SUB>2</SUB>的酞菁类化合物构成；(4)上述化合物以上述化合物的各分子的分子面与源极层和漏极层中的至少一方成为平行状态的方式叠层。 | ||
| 申请公布号 | CN1839490A | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN200480023853.1 | 申请日期 | 2004.08.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 宫本明人 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01);H01L29/80(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种纵型有机FET，基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层，具有源极层、活性层和漏极层依次叠层的结构，其特征在于：(1)所述源极层和漏极层实质上与基板表面平行地配置；(2)所述源极层和漏极层由导电性部件构成；(3)所述活性层实质上由以4价或6价的元素作为中心原子、并且分子面的上下方向分别配位有配位基X1和X2的酞菁类化合物构成；(4)所述化合物以所述化合物的各分子的分子面与源极层和漏极层中的至少一方成为平行状态的方式叠层。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||