| 主权项 |
1.一种有机电激发光装置,其主要构造系包括有:一透光基板,于其部分上表面固设有至少一下部电极;至少一绝缘分离墙,凸设于该透光基板及该下部电极之部分上表面,并可横跨该下部电极而与下部电极成一交叉态样;至少一隔离凸部,固设于该透光基板未设有该下部电极及该绝缘分离墙之上表面;及一有机发光层,固设于该下部电极未被该绝缘分离墙覆盖之上表面,而该有机发光层之上表面再设有一对向电极。2.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙之高度系大于该隔离凸部之高度。3.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙系包括有一固设于该透光基板及该下部电极部分上表面之底部,底部并经由一颈部而连设一顶部,而顶部之作用宽度系大于颈部之作用宽度。4.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙之底部的作用宽度系大于该顶部之作用宽度。5.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光装置,其中该有机发光层系可触接于该绝缘分离墙之底部者。6.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光装置,其中该有机发光层系可叠设于该绝缘分离墙之底部的部分上表面者。7.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙之上表面尚存在有一光阻。8.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙及隔离凸部系可选择由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、聚醯亚胺、酮醛树脂、酚类树脂及聚甲基丙烯酸甲酯之其中之一材质所制成者。9.一种有机电激发光装置,其主要构造系包括有:一透光基板,于其部分上表面固设有至少一下部电极;至少一绝缘分离墙,包括有一凸设于该透光基板及该下部电极部分上表面,且可横跨该下部电极而与下部电极成一交叉态样之底部,底部并经由一颈部而连设一顶部,又,顶部之作用宽度系大于颈部之作用宽度,而底部之作用宽度则大于顶部之作用宽度;及一有机发光层,固设于该下部电极未被该绝缘分离墙覆盖之上表面,且可触接于该绝缘分离墙之底部,而该有机发光层之上表面再设有一对向电极。10.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光装置,其中该有机发光层系可叠设于该绝缘分离墙之底部的部分上表面。11.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光装置,其中该绝缘分离墙之上表面尚存在有一光阻。12.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光装置,尚包括有一隔离凸部,紧邻于该下部电极而固设于该透光基板上表面。13.如申请专利范围第12项所述之有机电激发光装置,其中该隔离凸部之高度系小于该绝缘分离墙之高度者。14.一种有机电激发光装置之制作方法,其主要系包括有下列步骤:定义并形成有至少一下部电极于一透光基板之部分上表面;于未被下部电极覆盖之透光基板及下部电极上表面覆盖有一绝缘层,并透过一光阻及一短波长光源的使用,以至少一半导体制程而于绝缘层上定义并形成有至少一与该下部电极成一交叉态样之绝缘分离墙及一可紧邻于该下部电极之隔离凸部;及依次于该下部电极之上表面形成有至少一有机发光层及至少一对向电极。15.如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中该隔离凸部之高度系低于该绝缘分离墙之高度,且可藉由该短波长光源之强度不同,而在单次半导体制程步骤中与该绝缘分离墙同时形成。16.如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中该隔离凸部之高度系低于该绝缘分离墙之高度,且可藉由一透光率随着透光位置不同而有所变化之光罩配合一固定光强度之短波长光源的使用,而在单次半导体制程步骤中与该绝缘分离墙同时形成。17.如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中该隔离凸部系经由复数次半导体制程而得到一低于该绝缘分离墙之高度者。18.如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中该半导体制程系为一湿式蚀刻制程。19.如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中该半导体制程亦可为一湿式蚀刻制程搭配一乾式蚀刻制程,以完成该绝缘分离墙及该隔离凸部之设置。20.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光装置,其中该短波长之光源系可为一波长小于500nm之光源。图式简单说明:第1图:系为习用有机电激发光装置之立体示意图。第2图:系为习用有机电激发光装置之局部剖面示意图。第3图:系为本发明有机电激发光装置一较佳实施例在制作时之立体示意图。第4图:系为本发明有机电激发光装置在完成时之立体示意图。第4A图及第4B图:系分别为本发明有机电激发光装置之局部剖面示意图。第5A图至第5D图:系分别为本发明有机电激发光装置于各制程步骤时之立体示意图。第6A图及第6B图:系分别为本发明有机电激发光装置在部分制程步骤时之局部剖面示意图。第7图:系为本发明又一实施例之局部剖面示意图。第8图:系为本发明又一实施例之构造俯视图。 |
