| 主权项 |
1.一种沉入式晶片结构,其包含有下铜层、中间铜层、上铜层、第一晶片及第二晶片,其中,该下铜层的上方组设第一聚丙烯层后叠置中间铜层,该中间铜层设一开口形成第一凹槽,该第一凹槽中嵌组黏接第一晶片;于中间铜层上方组设第二聚丙烯层后叠置上铜层,该上铜层及第二聚丙烯层对应设一开口形成第二凹槽,于第二凹槽中填设胶体,再嵌入黏接第二晶片,于第二晶片顶面、侧边与上铜层顶面铺设胶体封装。2.根据申请专利范围第1项之沉入式晶片结构,其中,该第一晶片、第二晶片底面以接合胶黏接。3.根据申请专利范围第1项之沉入式晶片结构,其中,该第一凹槽穿过第一聚丙烯层,使该第一凹槽的底面为下铜层的顶面,且该第一凹槽的深度大于第一晶片的厚度,于第一凹槽底面黏接第一晶片底面,中间铜层的顶面高于第一晶片的顶面,该第一晶片沉嵌于下铜层与中间铜层之间。4.根据申请专利范围第1项之沉入式晶片结构,其中,该第二凹槽中填设的胶体至第二聚丙烯层顶面高度,使第二凹槽中的第二晶片顶面与上铜层顶面等高。5.根据申请专利范围第1项之沉入式晶片结构,其中,该中间铜层开设的第一凹槽局部凹入第一聚丙烯层且未穿过第一聚丙烯层。6.根据申请专利范围第1项所述之沉入式晶片结构,其中,该第二凹槽中填设的胶体高于第二聚丙烯层顶面且低于上铜层顶面,嵌入黏接第二晶片,使第二晶片顶面高于上铜层顶面。7.根据申请专利范围第1项所述之沉入式晶片结构,其中,该中间铜层开设的第一凹槽未穿过第一聚丙烯层且未凹入第一聚丙烯层,该第一凹槽的底面为第一聚丙烯层的顶面。8.根据申请专利范围第1项所述之沉入式晶片结构,其中,该第二凹槽中填设胶体至上铜层顶面等高,再黏接第二晶片。图式简单说明:第一图 系为本创作实施例的组合剖视示意图;第二图 系为本创作实施例二的组合剖视示意图;第三图 系为本创作实施例三的组合剖视示意图。 |
