| 主权项 |
1.一种内连线结构,其包含:一基板:一第一金属线,设置于该基板上;一第一绝缘层,设置于该基板上,且覆盖于该第一金属线;一第二金属线,设置于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,覆盖于该第二金属线;一氧化铟锡接线,连接该第一与第二金属线;以及一保护层,设置于该第二绝缘层之上,并具有一开口于其中以暴露及围绕该氧化铟锡接线。2.如申请专利范围第1项所述之内连线结构,其中该基板系为一平面显示面板之薄膜电晶体阵列基板。3.如申请专利范围第2项所述之内连线结构,其中该第一、第二金属线、该氧化铟锡接线、以及该保护层系设置于该薄膜电晶体阵列基板之非显像区。4.如申请专利范围第3项所述之内连线结构,其中该第一金属线为一闸极金属线,其系与位于薄膜电晶体阵列基板显像区之闸极金属线同时形成。5.如申请专利范围第3项所述之内连线结构,其中该第二金属线为一源极/汲极金属线,其系与位于薄膜电晶体阵列基板显像区之源极/汲极金属线同时形成。6.如申请专利范围第1项所述之内连线结构,其中该氧化铟锡接线系包含一第一氧化铟锡电极、一第二氧化铟锡电极、以及一氧化铟锡层;其中该第一氧化铟锡电极设置于该第一与第二绝缘层中,并与该第一金属线接触,该第二氧化铟锡电极设置于该第二绝缘层中,并与该第二金属线接触,而该氧化铟锡层则用以连接该第一与第二氧化铟锡电极。7.如申请专利范围第1项所述之内连线结构,其中该保护层的厚度大体介于3-4m。8.如申请专利范围第1项所述之内连线结构,其中该保护层的开口系包含矩形。9.一种于一平面显示器之薄膜电晶体阵列基板上形成一内连线结构的方法,包括以下步骤:于该薄膜电晶体基板之一非显像区上形成复数个第一金属线;于该薄膜电晶体阵列基板上形成一第一绝缘层以覆盖该些第一金属线;于该第一绝缘层上形成复数个第二金属线,其中上述每一第二金属线系相对应于一该第一金属线;形成一第二绝缘层以覆盖于上述第二金属线与该第一绝缘层;形成一保护层于该第二绝缘层上,并具有一开口于其中以暴露上述每一第一金属线以及其所对应之该第二金属线之末端;于该保护层开口内部之第一与第二绝缘层中形成复数个第一与第二通道孔,以分别暴露出上述第一与第二金属线;于该第二绝缘层上形成一氧化铟锡层,并填充该第一与第二通道孔以连接上述第一与第二金属线;于该氧化铟锡层上形成一图案化光阻,其用以遮蔽该保护层之开口内部的氧化铟锡层;以该图案化光阻为罩幕而蚀刻该氧化铟锡层,形成用以连接上述第一金属线与上述第二金属线之氧化铟锡接线;以及将残留之光阻层移除。10.如申请专利范围第9项所述之于平面显示器之薄膜电晶体阵列基板上形成一内连线结构的方法,其中该第一金属线系与位于该薄膜电晶体阵列基板之显像区的闸极金属线同时形成。11.如申请专利范围第9项所述之于平面显示器之薄膜电晶体阵列基板上形成一内连线结构的方法,其中该第二金属线系与位于该薄膜电晶体阵列基板之显像区的源极/汲极金属线同时形成。12.如申请专利范围第9项所述之于平面显示器之薄膜电晶体阵列基板上形成一内连线结构的方法,其中该保护层的厚度系介于3-4m。13.如申请专利范围第9项所述之于平面显示器之薄膜电晶体阵列基板上形成一内连线结构的方法,其中该保护层的开口系包含矩形。图式简单说明:第1图系显示习知位于TFT阵列基板非显像区之部份周边电路的俯视图。第2A图至第2E图为沿着第1图1-1线之剖面侧视图,其显示习知制造内连线结构的程序步骤。第3图系显示本发明位于TFT阵列基板非显像区之部份周边电路的俯视图。第4A图至第4F图为沿着第1图1-1线之剖面侧视图,其显示本发明制造内连线结构的程序步骤。 |
