| 主权项 |
1.一种晶圆检测方法,系施行于一制程后,藉以预测该制程完成后之晶粒良率,该方法至少包含:计数一晶圆中每一晶粒上特定类别之缺陷数目;预测一晶粒不良,当该晶粒上之该缺陷数目大于一特定値,其中该特定値系藉由比对历史纪录之制造完成后之晶粒良率与对应之该特定类别缺陷数目所定出;以及预测该晶圆于该制程完成后之晶粒不良数目。2.如申请专利范围第1项所述之检测方法,其中该制程为闸极氧化制程、金属蚀刻制程或闸氧化蚀刻制程。3.如申请专利范围第1项所述之检测方法,其中该缺陷类别为凹陷形(pit)缺陷或微遮罩(Micro masking)缺陷。4.如申请专利范围第1项所述之检测方法,其中该比对方法更包括:提供每一晶粒上特定类别之缺陷数目;测试制造完成后之每一晶粒电性;比对每一晶粒该特定类别之缺陷数,和相对应之电性测试结果;以及判定出会造成晶粒电性不良之对应缺陷数。5.一种建立检测晶粒良率关键値之方法,藉以于积体电路制造之一制程后预测制造完成后之晶粒良率,该建立方法至少包含:于该制程后计数每一晶粒上特定类别之缺陷数目;测试该每一晶粒制造完成后之电性;比对每一晶粒该特定类别之缺陷数和相对应之电性测试结果;以及判定出会造成晶粒电性不良之对应缺陷数作为该良率关键値。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该制程为闸极氧化制程、金属蚀刻制程或闸氧化蚀刻制程。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该缺陷类别为凹陷形(pit)缺陷或微遮罩(Micro masking)缺陷。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中当该晶粒上之该特定类别缺陷数多于该良率关键値时,则预测一完成制造后之晶粒为电性不良。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中当该晶粒之该特定类别缺陷数少于该良率关键値时,则预测一完成制造后之晶粒为可接受电性。10.一种预测晶粒良率之方法,该方法系施行于积体电路制造之一制程后,藉以预测制造完成后之晶粒良率,该预测方法至少包含:建立一良率关键値,作为判定一晶粒良率之比对値,其中该建立方法包括:提供历史纪录之该制程后每一晶粒上特定类别之缺陷数目;提供历史纪录之制造完成后之每一晶粒电性测试结果;比对每一晶粒该特定类别之缺陷数和相对应之电性测试结果;以及决定会造成一晶粒电性不良之对应缺陷数作为该良率关键値;以及执行一缺陷扫描以获取每一晶粒于该制程后之特定类别之缺陷数目;以及预测一完成制造后之晶粒将电性不良,当该晶粒之该特定类别缺陷数多于该良率关键値时。图式简单说明:第1图所示为根据本发明较佳实施例建立晶粒失败缺陷数目模型之流程图;第2a图至第2c图所示为根据本发明较佳实施例之检测图形;第3图所示为根据本发明之方法所建立之特定层失败晶粒缺陷数目模型;以及第4图所示为使用本发明模型进行晶粒电性失败预测和依序完成所有制程晶粒间之比较图形。 |
