| 主权项 |
1.一种晶圆切割方法,其包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动表面及一对应之背面,其中该晶圆之该主动表面系形成有复数个切割线,以界定该晶圆中之复数个晶粒;第一次切割该晶圆,其系以该些切割线为定位点,雷射切割该晶圆之背面,而在该背面形成复数个沟槽,该些沟槽系对应于该些切割线且不移除该些切割线;及第二次切割该晶圆,其系在该晶圆之背面形成一胶膜,再以该些切割线为定位点,切割该晶圆之主动表面,以形成复数个黏着于该胶膜之晶粒。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割一方法,其中在提供该晶圆之步骤中,该晶圆之主动表面系形成有复数个凸块。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法,其中在第一次切割该晶圆之步骤中,同时对该晶圆之背面进行雷射标记[laser marking]。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法,其中该些沟槽之雷射切割深度系不大于该晶圆之厚度。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法,其中第二次切割之宽度系不小于第一次切割之宽度。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法,其中在第二次切割步骤中,其系以钻石刀切割该晶圆之主动表面。7.一种免用胶膜之晶圆背面半切割方法,其包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动表面及一对应之背面,其中该晶圆之该主动表面系形成有复数个切割线,以界定该晶圆中之复数个晶粒;固定该晶圆于一框架,该框架系具有一开口,以显露该晶圆之背面;及以该些切割线为定位点,雷射切割该晶圆之背面,而在该背面形成复数个沟槽,其系对应于该些切割线,且不移除该些切割线。8.如申请专利范围第7项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割方法,其中在提供该晶圆之步骤中,该晶圆之主动表面系形成有复数个凸块。9.如申请专利范围第7项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割方法,其中在雷射切割该晶圆之背面之步骤中,同时对该晶圆之背面进行雷射标记[lasermarking]。10.如申请专利范围第7项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割方法,其中该些沟槽之雷射切割深度系不大于该晶圆之厚度。11.一种免用胶膜之晶圆背面半切割结构,其包含:一晶圆,其系具有一主动表面及一对应之背面,其中该晶圆之该主动表面系形成有复数个切割线,以界定该晶圆中之复数个晶粒;及复数个由雷射切割形成之沟槽,其系形成于该晶圆之背面,该些沟槽系对应于该些切割线,且不移除该些切割线。12.如申请专利范围第11项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割结构,其中该晶圆之主动表面系形成有复数个凸块。13.如申请专利范围第11项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割结构,其中该晶圆之背面系形成有雷射标记[laser marking]。14.如申请专利范围第11项所述之免用胶膜之晶圆背面半切割结构,其中该雷射标记系与该些沟槽为同时形成。15.一种晶圆切割方法,其包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动表面及一对应之背面;第一次切割该晶圆,其系雷射切割该晶圆之背面,而在该背面形成复数个沟槽;及第二次切割该晶圆,其系在该晶圆之背面形成一胶膜,以覆盖该些沟槽,再切割该晶圆之主动表面,以形成复数个黏着于该胶膜之晶粒。图式简单说明:第1图:依本发明之晶圆切割方法之流程图;第2图:依本发明之晶圆切割方法,一提供之晶圆之正面示意图;第3图:依本发明之晶圆切割方法,该晶圆之截面示意图;第4图:依本发明之晶圆切割方法,在第一次切割步骤中该晶圆之截面示意图;第5A图:依本发明之晶圆切割方法,在第二次切割步骤中该晶圆贴设于一胶膜之截面示意图;及第5B图:依本发明之晶圆切割方法,在第二次切割步骤后该晶圆切割为晶粒之截面示意图。 |
