| 主权项 |
1.一种画像显示装置,其特征系具备:外围器,其系具有第1基板,及取一间隙来与该第1基板对向配置的第2基板;复数个画素,其系设置于上述外围器内;及复数个间隔件,其系于上述外围器内设置于上述第1基板及第2基板之间,支持作用于上述第1及第2基板的大气压荷重;又,上述各间隔件具有形成算术平均粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面,且于各间隔件的凹凸表面被着导电性物质,形成分断的被膜。2.一种画像显示装置,其特征系具备:外围器,其系具有第1基板,及取一间隙来与该第1基板对向配置的第2基板;复数个画素,其系设置于上述外围器内;及间隔件构体,其系于上述外围器内设置于上述第1基板及第2基板之间,支持作用于上述第1及第2基板的大气压荷重;上述间隔件构体具有:支持基板,其系对向于上述第1及第2基板而设置;及复数个间隔件,其系立设于上述支持基板的至少一方的表面上;又,上述各间隔件的表面具有形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面,且于上述凹凸表面被着导电性物质,形成分断的被膜。3.如申请专利范围第2项之画像显示装置,其中上述支持基板具有:对向于上述第1基板的第1表面,及对向于上述第2基板的第2表面,上述间隔件包含:复数个第1间隔件,其系分别立设于上述第1表面上,且具有抵接于上述第1基板的延出端;及复数个第2间隔件,其系分别立设于上述第2表面上,且具有抵接于上述第2基板的延出端。4.如申请专利范围第2项之画像显示装置,其中上述支持基板具有:抵接于上述第1基板的第1表面,及取一间隙来与上述第2基板对向的第2表面,上述间隔件系立设于上述第2表面上,且具有抵接于上述第2基板的延出端。5.如申请专利范围第2~4项的任一项所记载之画像显示装置,其中上述支持基板的表面系藉由绝缘层来被覆,上述绝缘层的表面具有形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面,上述间隔件系重叠于形成有上述凹凸的绝缘层而立设。6.如申请专利范围第2~4项的任一项所记载之画像显示装置,其中上述支持基板的表面系藉由绝缘层来被覆,上述间隔件系重叠于上述绝缘层而立设,上述绝缘层的表面,除了上述间隔件所立设的区域以外,具有形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面。7.一种画像显示装置的制造方法,该画像显示装置系具备:外围器,其系具有第1基板,及取一间隙来与该第1基板对向配置的第2基板;复数个画素,其系设置于上述外围器内;及复数个间隔件,其系于上述外围器内设置于上述第1基板及第2基板之间,支持作用于上述第1及第2基板的大气压荷重;又,上述各间隔件具有形成算术平均粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面,且于各间隔件的凹凸表面被着导电性物质,形成分断的被膜,其特征为:准备具有复数个间隔件形成孔的成形模,在上述成形模的各间隔件形成孔中充填间隔件形成材料,在使充填于上述成形模的间隔件形成孔的间隔件形成材料硬化之后,自上述成形模离模,对上述所被离模的间隔件材料进行烧成,而形成间隔件,藉由酸系的液体来使上述形成的间隔件表面部份地溶解,于间隔件的表面全体形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02 ~0.3mm的凹凸,在形成于上述凹凸的间隔件表面被着导电性物质,形成分断的被膜。8.一种画像显示装置的制造方法,其特征系具备:外围器,其系具有第1基板,及取一间隙来与该第1基板对向配置的第2基板;复数个画素,其系设置于上述外围器内;及间隔件构体,其系于上述外围器内设置于上述第1基板及第2基板之间,支持作用于上述第1及第2基板的大气压荷重;上述间隔件构体具有:支持基板,其系对向于上述第1及第2基板而设置;及复数个间隔件,其系立设于上述支持基板的至少一方的表面上;又,上述各间隔件的表面具有形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸之凹凸表面,且于上述凹凸表面被着导电性物质,形成分断的被膜,其特征为:准备具有复数个间隔件形成孔的成形模,及支持基板,藉由绝缘层来被覆上述支持基板的表面,在上述成形模的各间隔件形成孔中充填间隔件形成材料,使充填有上述间隔件形成材料的成形模密接于形成有上述绝缘层的支持基板的表面之后,使上述间隔件形成材料硬化,令上述成形模离模,而使上述被硬化的间隔件形成材料复制于上述支持基板的表面上,对上述离模的间隔件材料及绝缘层进行烧成,而形成间隔件,藉由酸系的液体来使上述形成的间隔件及绝缘层的表面部份地溶解,于间隔件的表面及绝缘层的表面,形成平均算术粗度Ra为0.2~0.6m ,平均间隔Sm为0.02~0.3mm的凹凸,在形成于上述凹凸的间隔件表面及支持基板表面被着导电性物质,形成分断的被膜。图式简单说明:图1是表示本发明之第1实施形态的SED的立体图。图2是沿着图1的线II-II而剖断之上述SED的立体图。图3是表示扩大上述SED的剖面图。图4是表示扩大上述间隔件构体的一部份的剖面图。图5是表示使用于上述间隔件构体的制造之支持基板及成形模的剖面图。图6是表示使用于上述成形模的作成之主公模的侧面图。图7是表示使用上述主公模之成形模的作成工程的剖面图。图8是表示使成形模及支持基板密接的组合体的剖面图。图9是表示开放上述成形模的状态剖面图。图10是表示有无盐酸处理与电阻値的关系。图11是表示有无盐酸处理与电阻値的关系图表。图12是表示扩大本发明之第2实施形态的SED的间隔件构体的剖面图。图13是表示扩大本发明之第3实施形态的SED的一部份的剖面图。图14是表示扩大上述第3实施形态的SED的间隔件构体的剖面图。 |
