| 主权项 |
1.一种光阻剂组成物,其包括(a)光阻剂树脂,(b)光酸产生剂,其为选择自由二苯基碘六氟磷酸盐,二苯基碘六氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基对-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-甲苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-异丁基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-特丁基苯基三氟甲烷磺酸盐,三苯基六氟磷酸盐,三苯基六氟砷酸盐,三苯基六氟锑酸盐,三苯基三氟甲烷磺酸盐,二丁基基三氟甲烷磺酸盐及彼等混合物所组成之族群中,(c)光硷产生剂,其为选择自由化学式1a至1f之化合物及化学式2a至2c之化合物所组成之族群中:(d)有机溶剂。2.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中该光酸产生剂之份量范围为该光阻剂树脂之重量的从0.05%至10%。3.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中该光硷产生剂之份量范围为该光酸产生剂之重量的从30%至150%。4.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中该有机溶剂为选自由丙二醇甲基醚醋酸酯、甲基3-甲氧基丙酸酯、乙基3-乙氧基丙酸酯、环己酮,2-庚酮及其混合物所组成之族群中。5.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中该有机溶剂为该光阻剂树脂重量的从约200%到800%。6.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中该光阻剂树脂为化学放大光阻剂聚合物。7.根据申请专利范围第6项之光阻剂组成物,其中该光阻剂聚合物包括化学式5之聚合物:8.一种形成光阻剂图案之方法,其包括下列步骤:(a)将申请专利范围第1项之光阻剂组成物涂布于基板上以形成光阻剂膜;(b)使用曝光机,将该光阻剂膜曝于光线下;及(c)显影该经曝光之光阻剂膜。9.根据申请专利范围第8项之方法,进一步在该曝光步骤(b)之前及/或之后,包括烘烤步骤。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中该烘烤步骤在70℃至200℃之温度下进行。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该曝光机为选择自由ArF、KrF、VUV、EUV、E-束、X-射线及离子束所组成之族群中。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中该曝光光阻剂膜之步骤包括使用曝光机,将从1 mJ/cm2至100 mJ/cm2之曝光能量照射在该光阻剂膜上。13.根据申请专利范围第8项之方法,其系用于制造半导体元件。14.一种光阻剂组成物,其包括(a)具有下列化学式5之光阻剂聚合物(b)光酸产生剂,(c)光硷产生剂,其为选择自由化学式1a至1f之化合物及化学式2a至2c之化合物所组成之族群中,及(d)有机溶剂,图式简单说明:图1为当使用含光酸产生剂(PAG)而没有光硷产生剂(PBG)之光阻剂组成物(亦即,PR)时,图案生成之剖面图。图2为当使用含PAG而没有PBG之PR时,孤立线图案生成之剖面图。图3为当使用含PAG而没有PBG之PR时,密集线线图案生成之剖面图。图4为显示当使用含PBG之PR时,在PR较高部份产生过多硷之剖面图。图5为显示当使用含PBG及PAG之PR时,在PR较高部位产生相当多酸及硷之剖面图。图6为显示当使用含PAG而没有PBG之PR时,所获得之图案。图7为显示当使用同时含有PAG及PBG之PR时,所获得之图案的照片。 |
