| 主权项 |
1.一种奈米级相氧化铝微粒之制造方法,至少包 含: 提供氧化铝混合粉体,该氧化铝混合粉体至少包含 相氧化铝粉体以及软水铝石(Boehmite),其中该 相氧化铝粉体于该氧化铝混合粉体之一含量系介 于30重量百分比至95重量百分比之间,而该软水铝 石于该氧化铝混合粉体之氧化铝当量系介于5重量 百分比至70重量百分比之间; 将该氧化铝混合粉体加热至一第一温度且持温达 一第一时间,使该氧化铝混合粉体产生一第一相转 变反应形成'相氧化铝微粒;以及 将该'相氧化铝微粒淬冷至室温,再将该'相氧 化铝微粒加热至一第二温度且持温达一第二时间, 使该'相氧化铝微粒产生至少一第二相转变反应 ,而形成该奈米级相氧化铝微粒,其中该奈米级 相氧化铝微粒之一粒径系介于30奈米至150奈米 之间。 2.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中加热该氧化铝混合粉体之步 骤系以大于50℃/分之一升温速率进行。 3.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该第一温度系介于600℃至 1200℃之间。 4.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该第一时间系介于1分钟至10 分钟之间。 5.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中淬冷该氧化铝混合粉体之步 骤系以大于50℃/分之一降温速率进行。 6.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中加热该'相氧化铝微粒之 步骤系以大于50℃/分之一升温速率进行。 7.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该第二温度系低于该第一温 度。 8.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该第二温度系介于500℃至900 ℃之间。 9.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该第二时间系介于1分钟至10 分钟之间。 10.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该奈米级相氧化铝微粒之 一粒径系介于30奈米至50奈米之间。 11.如申请专利范围第1项所述之奈米级相氧化铝 微粒之制造方法,其中该奈米级相氧化铝微粒之 一粒径系介于50奈米至150奈米之间。 12.一种奈米级相氧化铝微粒之制造方法,至少包 含: 提供氧化铝混合粉体,该氧化铝混合粉体至少包含 相氧化铝粉体以及软水铝石,其中该相氧化铝 粉体于该氧化铝混合粉体之一含量系介于30重量 百分比至95重量百分比之间,而该软水铝石于该氧 化铝混合粉体之氧化铝当量系介于5重量百分比至 70重量百分比之间; 将该氧化铝混合粉体加热至一第一温度且持温达 一第一时间,使该氧化铝混合粉体产生一第一相转 变反应形成'相氧化铝微粒;以及 将该'相氧化铝微粒淬冷至一第二温度,再将该 '相氧化铝微粒粉末于该第二温度持温达一第二 时间,使该'相氧化铝微粒产生至少一第二相转 变反应,而形成该奈米级相氧化铝微粒,其中该 奈米级相氧化铝微粒之一粒径系介于30奈米至 150奈米之间。 13.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中加热该氧化铝混合粉体之 步骤系以大于50℃/分之一升温速率进行。 14.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该第一温度系介于600℃至 1200℃间。 15.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该第一时间系介于1分钟 至10分钟之间。 16.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中淬冷该氧化铝混合粉体之 步骤系以大于50℃/分之一降温速率进行。 17.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中加热该'相氧化铝微粒 之步骤系以大于50℃/分之一升温速率进行。 18.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该第二温度系介于500℃至 900℃间。 19.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该第二时间系介于1分钟 至10分钟之间。 20.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该奈米级相氧化铝微粒 之该粒径系介于30奈米至50奈米之间。 21.如申请专利范围第12项所述之奈米级相氧化 铝微粒之制造方法,其中该奈米级相氧化铝微粒 之该粒径系介于50奈米至150奈米之间。 图式简单说明: 第1A图至第1B图系显示未经处理之工业用相氧化 铝粉体的电显照片; 第2图系显示未经处理之工业用相氧化铝粉体的 X射线绕射图谱; 第3图系显示工业用相氧化铝粉体经处理后之X 射线绕射图谱; 第4A图至第4B图系显示根据本发明实施例一之奈米 级相氧化铝微粒的电显照片; 第5图系显示根据本发明实施例一之奈米级相氧 化铝微粒的X射线绕射图谱; 第6A图至第6B图系显示根据本发明实施例二之奈米 级相氧化铝微粒的电显照片;以及 第7图系显示根据本发明实施例二之奈米级相氧 化铝微粒的X射线绕射图谱。 |
