发明名称 催化剂组合物及其制备以及其自乙烯系不饱和单体制备聚合物之用途
摘要 本发明系揭示一种催化剂组合物,其包含阳离子性金属对错合物,伴随着其制备方法。亦揭示一种使用该催化剂组合物使烯系不饱和单体聚合之方法,及藉以制成之加成聚合物。
申请公布号 TWI262196 申请公布日期 2006.09.21
申请号 TW093123928 申请日期 2004.08.10
申请人 罗门哈斯公司 发明人 布莱恩 莱斯里 固岛;珍妮佛 琳 佩托夫;沈瀚
分类号 C08F4/70;C08F20/12;C08F32/08;C08F220/12;C08F232/08;C07F15/04;C07F19/00 主分类号 C08F4/70
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种催化剂组合物,其包含至少一种阳离子性金 属对错合物,其中: 该阳离子性金属对错合物包含至少一种金属原子 对,该对系包含第一金属原子M1与第二金属原子M2; 该对之第一金属原子与第二金属原子具有至少1.5 埃而不超过20埃之经过空间核间距离;且 该阳离子性金属对错合物系为根据式I之错合物, 其中: M1表示第一金属原子,选自包括:镍、钯、铂、铜、 银、金、铁、钴、铑、铬及锰; M2表示第二金属原子,选自包括:镍、钯、铂、铜、 银、金、铁、钴、铑、铬及锰; L1表示一组第一配位体; L2表示一组第二配位体; L3表示一组第三配位体; R1表示一组第一含阴离子性烃基之基团; R2表示一组第二含阴离子性烃基之基团; S1表示一组第一不安定配位体; S2表示一组第二不安定配位体; A1-A8各表示一组配位键; WCA表示微弱配位阴离子; a、b、h、k、m及p系选自0或1; 、及c各等于1; d、e、r、s、t及u系选自0、1、2或3;且 f与g系选自1、2、3或4;及 其中:0≦d+e≦5;1≦m+p≦2;1≦r+s≦5;0≦t+u≦5;2≦f+g ≦7;总和d+f+r+t=4;及总和e+g+s+u=4。 2.如申请专利范围第1项之催化剂组合物,其中该对 之第一金属原子与第二金属原子具有至少2埃而不 超过10埃之经过空间核间距离。 3.一种制备如申请专利范围第1项之催化剂组合物 之方法,其包括以下步骤: (i)提供至少一种根据式II之先质错合物 其中: M1表示第一金属原子,选自包括:镍、钯、铂、铜、 银、金、铁、钴、铑、铬及锰; M2表示第二金属原子,选自包括:镍、钯、铂、铜、 银、金、铁、钴、铑、铬及锰; L1表示一组第一配位体; L2表示一组第二配位体; L3表示一组第三配位体; R1表示一组第一含阴离子性烃基之基团; R2表示一组第二含阴离子性烃基之基团; S1表示一组第一不安定配位体; S2表示一组第二不安定配位体; A1-A10各表示一组配位键;及 Y表示脱离基; (ii)将该先质错合物与至少一种活化剂成份混合, 活化剂成分之存在量以脱离基Y为基准计之,为0.1 至5000莫耳当量; (iii)自该先质错合物移除该脱离基Y;及 (iv)以至少一种置换部份基团置换该脱离基Y, 其中: a、b、d、h、k、m、p、r、s、t及u如申请专利范围 第1项中之式I所界定; 、、c、x及y系选自0或1; e系选自0、1、2、3或4; f及g系选自0、1、2、3或4; 0≦d+e≦4; f+g之总和系选自0、2、3、4、5或6; 1≦m+p≦2; 1≦r+s≦5; 0≦t+u≦4; 1≦x+y≦2; d+f+r+t+x之总和系选自0或4;及 e+g+s+u+y之总和系选自0或4。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中: 该先质错合物系为根据该式II之完全-(金属对)先 质错合物,其中: a、b、h、k、x及y系选自0或1; 、及c各等于1; d、e、r、s、t及u系选自0、1、2或3; f与g系选自1、2、3或4;且 其中:1≦m+p≦2;0≦d+e≦4;1≦r+s≦5;0≦t+u≦4;1≦x+y ≦2;2≦f+g≦6;总和d+f+r+t+x=4及总和e+g+s+u+y=4。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中: 该先质错合物系为根据该式II之第一个半-(金属对 )先质错合物,其中: 与x各等于1;、b、c、k、p、e、f、g、s、u及y各 等于0;a、h及m系选自0或1;d、r及t系选自0、1、2或3; 及总和d+f+r+t+x=4;且 该置换部份基团系为根据该式II之第二个半-(金属 对)先质错合物,其中: 等于1;、a、c、h、m、d、f、g、r、t、x及y各等 于0;b、k及p系选自0或1;e系选自0、1、2、3或4;s与u 系选自0、1、2或3;及总和e+g+s+u+y=4;且 该第一个半-(金属对)错合物之m与该第二个半-(金 属对)错合物之p之总和系选自1或2。 6.一种制备至少一种加成聚合物之方法,其包括: (a)混合下列成分: (i)至少一种如申请专利范围第1项之催化剂组合物 ;与 (ii)至少一种烯系不饱和单体,该烯系不饱和单体 与申请专利范围第1项之催化剂组合物中之阳离子 性金属对错合物的莫耳比系50:1至8,000,000:1;以及 (b)于该至少一种催化剂组合物存在下,使该至少一 种烯系不饱和单体聚合,以形成该加成聚合物。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该加成聚合物 系为选自以下之聚合物:聚[(极性烯烃)-(非极性烯 烃)]、聚(极性烯烃)、聚(非极性烯烃)及其组合,其 中该烯系不饱和单体系选自至少一种极性烯烃单 体、至少一种非极性烯烃单体或其组合。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中,该聚[(极性烯 烃)-(非极性烯烃)]中做为聚合单元之至少一种极 性烯烃单体与至少一种非极性烯烃单体之合计莫 耳百分比,以该至少一种加成聚合物中做为聚合单 元之所有该极性烯烃单体与该非极性烯烃单体之 总莫耳数为基准计之,系至少70莫耳%至100莫耳%。 9.如申请专利范围第6项之方法,其中该加成聚合物 包含做为聚合单元之至少一种(甲基)丙烯酸酯单 体,其中做为聚合单元之所有该(甲基)丙烯酸酯单 体对所有该烯系不饱和单体之莫耳比,系至少0.05: 99.95至100:0。 10.如申请专利范围第6项之方法,其中该加成聚合 物包含做为聚合单元之至少一种环状烯烃单体,其 中做为聚合单元之所有该环状烯烃单体对所有该 烯系不饱和单体之莫耳比,系至少0.05:99.95至100:0。 11.如申请专利范围第1项之催化剂组合物,其中该 第一含阴离子性烃基之基团及该第二含阴离子性 烃基之基团中之至少一者为加成聚合物。
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