| 主权项 |
1.一种光学记录媒体,包括: 一基材;以及 一记录层, 其中资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一 系藉由该记录层上多数个标记处的可逆相变化而 实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处在雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少,以及 该记录层之成分表示为分子式:InSb,其中与 系各别元素的原子比;0.73≦(+)≦0.90,+ =100。 2.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该光学记录媒体系可重复记录于一线性速度28公 尺∕秒或更多。 3.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该记录层系结晶于150至250℃,在温度增加率为10℃/ 分钟下。 4.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该记录层之厚度系介于8奈米至22奈米。 5.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该光学记录媒体包括一第一保护层、该记录层、 一第二保护层与一反射层以此一顺序或相反顺序 于该基材上。 6.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其中 一边界层包含一氧化物,其配置于该记录层与该第 一保护层之间或该记录层与该第二保护层之间。 7.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其中 该氧化物系至少选自于由氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO 2)、氧化矽(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧 化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化铌(Nb2O5 )与稀土族氧化物所组成之族群。 8.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其中 该边界层之厚度系介于1奈米至20奈米。 9.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 一结晶促进层系被提供,且接触至少一部份之该记 录层。 10.如申请专利范围第9项所述之光学记录媒体,其 中该结晶促进层包括铋(Bi)、锑(Sb)、碲(Te)或铟(In) 。 11.如申请专利范围第9项所述之光学记录媒体,其 中该结晶促进层之厚度系介于0.2奈米至10奈米。 12.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其 中该反射层包括银或银合金。 13.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其 中该第二保护层包括硫化锌(ZnS)与氧化矽之混合 物。 14.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,更 包括一第三保护层,其介于该第二保护层与该反射 层之间,该第三保护层系大体上无硫化物,且该第 三保护层包括碳化矽(SiC)或矽。 15.如申请专利范围第14项所述之光学记录媒体,其 中该第三保护层之厚度系介于2奈米至10奈米。 16.一种光学记录媒体,包括: 一基材;以及 一记录层, 其中资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一 系藉由该记录层上标记处的可逆相变化而实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处在雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少,以及 该记录层之成分表示为分子式:MInSb,其中M 系至少选自于由锗(Ge)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、硒( Se)、铝(Al)、银(Ag)、锰(Mn)、铜(Cu)、金(Au)与氮(N) 所组成之族群;与系各别元素的原子比,系 元素之原子比或各别元素之原子比的总和;0.73≦ /(+)≦0.90,0<<,++=100。 17.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中该光学记录媒体系可重复记录于一线性速度28 公尺/秒或更多。 18.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中在该记录层之M系锗,且0.2≦≦15。 19.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中在该记录层之M系碲,且1≦≦15。 20.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中该记录层系结晶于150至250℃,在温度增加率为10 ℃/分钟下。 21.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中该记录层之厚度系介于8奈米至22奈米。 22.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中该光学记录媒体包括一第一保护层、该记录层 、一第二保护层与一反射层以此一顺序或相反顺 序于该基材上。 23.如申请专利范围第22项所述之光学记录媒体,其 中一边界层包含一氧化物,其配置于该记录层与该 第一保护层之间或该记录层与该第二保护层之间 。 24.如申请专利范围第23项所述之光学记录媒体,其 中该氧化物系至少选自于由氧化锆(ZrO2)、氧化钛( TiO2)、氧化矽(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、 氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化铌(Nb 2O5)与稀土族氧化物所组成之族群。 25.如申请专利范围第23项所述之光学记录媒体,其 中该边界层之系介于1奈米至20奈米。 26.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中一结晶促进层系被提供,且接触至少一部份之该 记录层。 27.如申请专利范围第26项所述之光学记录媒体,其 中该结晶促进层包括铋(Bi)、锑(Sb)、碲(Te)或铟(In) 。 28.如申请专利范围第26项所述之光学记录媒体,其 中该结晶促进层之厚度系介于0.2奈米至10奈米。 29.如申请专利范围第22项所述之光学记录媒体,其 中该反射层包括银或银合金。 30.如申请专利范围第22项所述之光学记录媒体,其 中该第二保护层包派硫化锌(ZnS)与氧化矽之混合 物。 31.如申请专利范围第22项所述之光学记录媒体,更 包括一第三保护层,其介于该第二保护层与该反射 层之间,该第三保护层系大体上无硫化物,且该第 三保护层包括碳化矽(SiC)或矽。 32.如申请专利范围第31项所述之光学记录媒体,其 中该第三保护层之厚度系介于2奈米至10奈米。 33.一种溅靶,用以备制一记录层,其中该溅靶之成 分表示为分子式:InSb,其中与系各别元素 的原子比;0.73≦/(+)≦0.90,+=100。 34.一种溅靶,用以备制一记录层,其中该溅靶之成 分表示为分子式:MInSb,其中M系至少选自于 由锗(Ge)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、硒(Se)、铝(Al)、银 (Ag)、锰(Mn)、铜(Cu)、金(Au)与氮(N)所组成之族群; 与系各别元素的原子比,系元素之原子比或 各别元素之原子比的总和;0.73≦/(+)≦0.90,0< <,++==100。 35.如申请专利范围第34项所述之溅靶,其中M系锗, 且0.2≦≦15。 36.如申请专利范围第34项所述之溅靶,其中M系碲, 且1≦≦15。 37.一种光学记录媒体的制程,其中该光学记录媒体 包括一第一保护层、一记录层、一第二保护层与 一反射层以此一顺序或相反顺序于一基材上,该光 学记录媒体的制程包括: 形成一记录层,藉由一溅镀法使用一溅靶,其成分 表示为分子式:InSb,其中与系各别元素的 原子比;0.73≦/(+)≦0.90,+=100。 38.如申请专利范围第37项所述之光学记录媒体的 制程,更包括形成一结晶促进层,其接触至少一部 份之该记录层。 39.如申请专利范围第37项所述之光学记录媒体的 制程,更包括藉由雷射光加热该光学记录媒体以导 致初始结晶。 40.如申请专利范围第39项所述之光学记录媒体的 制程,其中藉由雷射光加热系引致熔融初始结晶或 固相初始化。 41.一种光学记录媒体的制程,其中该光学记录媒体 包括一第一保护层、一记录层、一第二保护层与 一反射层以此一顺序或相反顺序于一基材上,该光 学记录媒体的制程包括: 形成一记录层,藉由一溅镀法使用一溅靶,其成分 表示为分子式:MInSb,其中M系至少选自于由 锗(Ge)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、硒(Se)、铝(Al)、银(Ag )、锰(Mn)、(Cu)、金(Au)与氮(N)所组成之族群;与 系各别元素的原子比,系元素之原子比或各别 元素之原子比的总和;0.73≦/(+)≦0.90,0<< ,++=100。 42.如申请专利范围第41项所述之光学记录媒体的 制程,更包括形成一结晶促进层,其接触至少一部 份之该记录层。 43.如申请专利范围第41项所述之光学记录媒体的 制程,更包括藉由雷射光加热该光学记录媒体以导 致初始结晶。 44.如申请专利范围第43项所述之光学记录媒体的 制程,其中藉由雷射光加热系引致熔融初始结晶或 固相初始化。 45.一种光学记录媒体的使用方法,包括照射雷射光 至一光学记录媒体,从而导致资讯记录、再生、抹 除与覆写至少其中之一, 其中该光学记录媒体包括一第一保护层、一记录 层、一第二保护层与一反射层以此一顺序或相反 顺序于一基材上, 资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一系藉 由该记录层上多数个标记处的可逆相变化而实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处衫雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少, 该记录层之成分表示为分子式:InSb,其中与 系各别元素的原子比;0.73≦/(+)≦0.90,+ =100,以及 其中照射雷射光系从该光学记录媒体之该第一保 护层的一侧实施。 46.如申请专利范围第45项所述之光学记录媒体的 使用方法,其中资讯系在非晶标记处之长度在雷射 照射的行进方向上表示为nT(n:自然数,T:记录的基 本时脉周期)的条件下根据标记处之长度而记录。 47.如申请专利范围第45项所述之光学记录媒体的 使用方法,其中nT之长度的结晶部分系以重复照射 (n/2)+1次脉冲而形成,且照射脉冲系交替具有高功 率位准之峰値功率照射与具有低功率位准之偏压 功率照射。 48.一种光学记录媒体的使用方法,包括照射雷射光 至一光学记录媒体,从而导致资讯记录、再生、抹 除与覆写至少其中之一, 其中该光学记录媒体包括一第一保护层、一记录 层、一第二保护层与一反射层以此一顺序或相反 顺序于一基材上, 资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一系藉 由该记录层上多数个标记处的可逆相变化而实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处在雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少, 该记录层之成分表示为分子式:MInSb,其中M 系至少选自于由锗(Ge)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、硒( Se)、铝(Al)、银(Ag)、锰(Mn)、铜(Cu)、金(Au)与氮(N) 所组成之族群;与系各别元素的原子比,系 元素之原子比或各别元素之原子比的总和;0.73≦ /(+)≦0.90,0<<,++=100,以及 其中照射雷射光系从该光学记录媒体之该第一保 护层的一侧实施。 49.如申请专利范围第48项所述之光学记录媒体的 使用方法,其中资讯系在非晶标记处之长度在雷射 照射的行进方向上表示为nT(n:自然数,T:记录的基 本时脉周期)的条件下根据标记处之长度而记录。 50.如申请专利范围第48项所述之光学记录媒体的 使用方法,其中nT之长度的结晶部分系以重复照射 (n/2)+1次脉冲而形成,且照射脉冲系交替具有高功 率位准之峰値功率照射与具有低功率位准之偏压 功率照射。 51.一种光学记录装置,用以经由照射雷射光至一光 学记录媒体而执行资讯记录、再生、抹除与覆写 至少其中之一, 其中该光学记录媒体包括一基材与一记录层, 资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一系藉 由该记录层上多数个标记处的可逆相变化而实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处在雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少,以及 该记录层之成分表示为分子式:InSb,其中与 系各别元素的原子比;0.73≦/(+)≦0.90,+ =100。 52.一种光学记录装置,用以经由照射雷射光至一光 学记录媒体而执行资讯记录、再生、抹除与覆写 至少其中之一, 其中该光学记录媒体包括一基材与一记录层, 资讯记录、再生、抹除与覆写至少其中之一系藉 由该记录层上多数个标记处的可逆相变化而实现, 该些标记处的可逆相变化系藉由雷射照射而诱发 于结晶与非晶状态之间, 该些标记处在雷射照射之行进方向上的各别长度 系0.4微米或更少,以及 该记录层之成分表示为分子式:MInSb,其中M 系至少选自于由锗(Ge)、碲(Te)、氧(O)、硫(S)、硒( Se)、铝(Al)、银(Ag)、锰(Mn)、铜(Cu)、金(Au)与氮(N) 所组成之族群;与系各别元素的原子比,系 元素之原子比或各别元素之原子比的总和;0.73≦ /(+)≦0.90,0<<,++=100。 图式简单说明: 图1绘示为本发明一实施例之光学记录媒体其结构 层的示意图。 图2绘示为一光学记录媒体在记录层上照射雷射光 至一非晶标记处的结晶过程示意图。 图3绘示为记录层温度与结晶速度之关系的示意图 。 图4绘示为本发明另一实施例之光学记录媒体其结 构层的示意图。 图5绘示为本发明再一实施例之光学记录媒体其结 构层的示意图。 图6绘示为应用在DVD+RW等之波形的发射图案或记录 策略。 图7A绘示为说明在一保存测试前于一非记录部分 或结晶部分,反射比因成分接近铟-锑族之共熔点 而减少。 图7B绘示为说明在80℃、100小时之保存测试后于一 非记录部分或结晶部分,反射比因成分接近铟-锑 族之共熔点而减少。 图8绘示为说明当铟含量减少时,铟-锑族之反射比 减少。 图9绘示为说明过渡线性速度与铟-锑族成分的关 系图。 图10A绘示为说明在熔化后整个重结晶之条件下的 过渡线性速度。 图10B绘示为说明在熔化后形成非晶状态而非整个 重结晶之条件下的过渡线性速度。 图11绘示为说明在80℃、100小时之保存后添加碲于 铟-锑中反射比减少。 图12绘示为一光学资讯记录过程,特别是用于本发 明一实施例之光学记录媒介的记录策略。 图13绘示为根据图12之记录策略而记录的标记之示 意图。 图14A绘示为由于非晶标记之不完整结晶所造成的 部分剩余非晶标记,并说明当非晶标记之抹除功率 系以固定线性速度照射时的结晶条件。 图14B绘示为非晶标记之不完整结晶所造成的部分 剩余非晶标记之形状。 图15绘示为范例15所获得之光学记录媒体其DC抖动 之功率极限的示意图。 图16绘示为范例16所获得之光学记录媒体其DC抖动 之功率极限的示意图。 图17绘示为范例17所获得之光学记录媒体其DC抖动 之功率极限的示意图。 图18绘示为范例18所获得之光学记录媒体其DC抖动 之功率极限的示意图。 图19绘示为满足本发明之成分的铟-锑-M之范围。 图20绘示为满足本发明之成分的铟-锑-碲之范围。 |
