| 主权项 |
1.一种自金属、金属合金或介电质表面移除残留 物之酸性或硷性洗脱及清洁组合物,该组合物系包 含水及有机极性溶剂,其改良处包括该组合物含有 有效量之芳香族羧酸腐蚀抑制剂,选自包括酸、 酸铵、苯二甲酸、苯二甲酸酐、异苯二甲酸及 其混合物之群,该组合物不含氧化剂及包含至少约 25重量百分比之水;及由0.2至15重量百分比之该抑 制剂。 2.如申请专利范围第1项之组合物,其中该水之含量 系介于30至95重量百分比之范围内。 3.如申请专利范围第1项之组合物,其包含3至5重量 百分比之该抑制剂。 4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该抑制剂系 包含酸铵与酸之混合物,该pH系低于约4。 5.如申请专利范围第1项之组合物,其中该极性溶剂 系为N,N'-二甲基乙醯胺。 6.如申请专利范围第1项之组合物,其包含: a)氢氧化胆硷; b)2至6重量百分比之酸铵与酸之混合物; c)80至90重量百分比之水;及 d)0至10重量百分比之N,N1-二甲基乙醯胺,其中酸 铵与酸之比例系由2:1至1:1,该组合物不含氧化剂 。 7.如申请专利范围第1项之组合物,其基本上系由以 下化合物组成: a)约10重量百分比之N,N'-二甲基乙醯胺; b)约6重量百分比之氢氧化胆硷; c)约4重量百分比之酸;及 d)约80重量百分比之水, 该组合物不含氧化剂。 8.一种自经涂覆之基材移除残留物之方法,其包括 下列步骤: a)于该经涂覆之基材上施加洗脱及清洁有效量之 如申请专利范围第1项之组合物; b)使该组合物保持与该基材接触一般有效周期时 间,以自该经涂覆基材洗脱及清除掉该残留物;及 c)之后自该基材移除该残留物。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该组合物含有 至少25重量百分比之水。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该组合物系 含有30至95重量百分比之水。 11.如申请专利范围第8项之方法,其中该组合物进 一步包含羟基胺。 12.如申请专利范围第8项之方法,其中该残留物系 为有机涂层。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该有机涂层 系为光阻。 14.一种自经涂覆之基材移除光阻之方法,其包括以 下步骤: a)于该经涂覆之基材上施加洗脱及清洁有效量之 如申请专利范围第3项之组合物; b)使该组合物保持与该基材接触一般有效周期时 间,以自该经涂覆基材洗脱及清除掉该光阻;及 c)之后自该基材移除该光阻。 图式简单说明: 图1出示水/45%氢氧化胆硷洗脱组合物质基于90/6n/m 比例下之腐蚀抑制效率曲线,及各种比例之酸铵 及酸在20℃下对于铝及铜金属箔之抑制效果。 图2出示改变包含6%(45%)氢氧化胆硷及4%酸之洗脱 剂组合物基质中之有机极性溶剂(DMAC)成份的比例, 对于铜蚀刻速率之影响。 |
