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Es wird ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher mit Folgendem angegeben: DOLLAR A - einer Anzahl von in einer Richtung ausgebildeten Wortleitungen (W/L); DOLLAR A - einer Anzahl von Paaren aus jeweils einer Steuerleitung (CS) und einer Leseleitung (SL), die in einer die Wortleitungen schneidenden Richtung mit festen Intervallen ausgebildet sind; DOLLAR A - ersten Transistoren (T1), die jeweils zwischen jedem Paar aus einer Steuerleitung und einer Leseleitung ausgebildet sind, wobei eine Versorgungsspannung an den Drain angelegt wird und wobei der dielektrische Gatefilm aus einem ferroelektrischen Material besteht; DOLLAR A - zweiten Transistoren (T2), deren Drain jeweils mit der Leseleitung verbunden ist, deren Source jeweils mit der Source eines ersten Transistors verbunden ist und deren Gate jeweils mit der Wortleitung verbunden ist; und DOLLAR A - dritten Transistoren (T3), deren Drain jeweils mit der Steuerleitung verbunden ist, deren Source jeweils mit dem Gate eines ersten Transistors verbunden ist und deren Gate jeweils mit der Wortleitung verbunden ist. DOLLAR A Bei diesem Speicher sowie einem Verfahren zum Herstellen desselben können durch wiederholte Schaltvorgänge verursachte Ermüdungserscheinungen verringert werden, das Abfallen einer Betriebsspannung kann vermieden werden und die Betriebsgeschwindigkeit kann erhöht werden.
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