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Ein integrierter Halbleiterspeicher (100) umfasst ein Speicherzellenfeld (10), in dem erste Leseverstärker (SA1, SA3) auf einer rechten Seite des Speicherzellenfeldes und zweite Leseverstärker (SA2) auf einer linken Seite des Speicherzellenfeldes angeordnet sind. Aufgrund von "Post-sense Coupling"-Effekten bei Aktivierung der Leseverstärker in Verbindung mit kapazitiven Kopplungseffekten zwischen Bitleitungen kommt es auf benachbarten Bitleitungen (BTm, BCm) zu Potenzialveränderungen (Vg, Vi). Der integrierte Halbleiterspeicher (100) ermöglicht es, parasitäre Kopplungseffekte zwischen benachbarten Bitleitungen in einem Funktionstest nachzubilden, in dem sich die ersten und zweiten Leseverstärker zeitlich verzögert aktivieren lassen. Dadurch lässt sich die Testschärfe verbessern und Testzeit einsparen.
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